图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:4280 |
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最小起订量:5000 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:3200 |
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最小起订量:20 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:5018 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 NVTFS5820NL |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 11.5 mOhm @ 8.7A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 28nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1462pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-WDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8WDFN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 11.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 28 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 典型下降时间 | 22 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 3.05 |
| PCB | 8 |
| 筛选等级 | Automotive |
| 最大功率耗散 | 3200 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 11.5@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | WDFN EP |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 3.05 |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 0.75(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-WDFN Exposed Pad |
| 供应商设备封装 | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 11.5 mOhm @ 8.7A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.2W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1462pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 28nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 29 A |
| 正向跨导 - 闵 | 24.6 S |
| RDS（ON） | 11.5 mOhms |
| 功率耗散 | 21 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 高度 | 0.75mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 3.15mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1462 pF @ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 15 mΩ |
| 通道类型 | N |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 21 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 3.15mm |
| 尺寸 | 3.15 x 3.15 x 0.75mm |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns |
| 封装类型 | WDFN |
| 最大连续漏极电流 | 29 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 28 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| Id - Continuous Drain Current | 29 A |
| 技术 | Si |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 21 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11.5 mOhms |
| 系列 | NVTFS5820NL |
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